J.P.C. GUTIERREZ - MANUTENÇÃO INDUSTRIAL/PROF. PABLO: AULA SOBRE IGBT's

 

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um semicondutor de potência de três terminais: esses terminais são denominados como emissor, coletor e porta. Dois de seus terminais, coletor e emissor, estão associados a um caminho de condutância e o terminal 'G' restante está associado ao seu controle. A soma da amplificação que é alcançada pelo IGBT é uma relação entre seu sinal de entrada e saída. Para um BJT convencional, a quantidade de ganho é quase igual à razão entre a corrente o/p e a corrente i/p que é chamada de beta.

O termo IGBT é uma forma abreviada de transistor bipolar de porta isolada, é um dispositivo semicondutor de três terminais com enorme capacidade de transporte de corrente bipolar. Muitos projetistas utilizam o IGBT como um dispositivo bipolar controlado por tensão característica CMOS i/p e bipolar o/p. Portanto, este dispositivo foi projetado para aproveitar os benefícios dos dispositivos BJT e MOSFET na forma monolítica. Ele combina as melhores qualidades de ambos para atingir as características de um dispositivo ideal.

Este dispositivo está apto para várias aplicações, como usado em eletrônica de potência, particularmente em PWM (Pulse Width Modulated), UPS (Interruptible Power Supplies), SMPS (Switched-Mode Power Supplies) e outros circuitos de energia. Aumenta a eficiência, o desempenho dinâmico e reduz o nível de ruído audível. É igualmente instalado nos circuitos do conversor de modo ressonante. O IGBT otimizado é acessível tanto para baixa perda de comutação quanto para baixa perda de condução.